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MJ1000	文件：54.14 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors Power Transistors TO-3 Case (Continued) 文件：54.14 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJ1000	文件：139.27 Kbytes Page：4 Pages	Medium-Power Complementary Silicon Transistors Medium-Power Complementary Silicon Transistors . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. • High DC Current Gain — hFE = 6000 (Typ) @ IC = 3.0 Adc • Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Shunt Resistors 文件：139.27 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MJ1000	文件：175.78 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS The MJ900, MJ901, MJ1000 and MJ1001 are silicon epitaxial-bas transistors in monolithic Darlington configuration, and are mounted in JEDEC TO-3 metal case. They are intended for use in power linear and switching applications. Their complementary NPN types are the MJ1000 and MJ1001 respectively. 文件：175.78 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
MJ1000	文件：74.35 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min.) ·High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min.)@IC= 3A ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE (sat)= 2.0V(Max.)@ IC= 3A APPLICATIONS ·Designed for use as output devices in complementary general pu 文件：74.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MJ1000	文件：115.12 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS The MJ900, MJ901, MJ1000 and MJ1001 are silicon epitaxial-bas transistors in monolithic Darlington configuration, and are mounted in JEDEC TO-3 metal case. They are intended for use in power linear and switching applications. PNP types are the MJ900 and MJ901, and their complementary NPN types 文件：115.12 Kbytes 页数：4 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MJ1000	文件：118.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·DARLINGTON ·High DC current gain ·Complement to type MJ900/901 APPLICATIONS ·For use as output devices in complementary general purpose amplifier applications 文件：118.78 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ1000	文件：120.39 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：120.39 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
MJ1000	文件：78.25 Kbytes Page：3 Pages	COMPLEMENTARY POWER DARLINGTONS 文件：78.25 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
MJ1000	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington	Central	Central
MJ1000	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset

晶体管资料

型号：
MJ1000
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDV65(A...C),BDX63(A...C)BDX65,FH8C,MJ3000,2N6055,2N6056,
最大耗散功率：
90W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
E-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
8
wtest：
90

技术参数

Case：
TO-3
Configuration/ Description：
NPN Darlington
Polarity：
NPN
IC MAX：
8A
PD MAX：
90W
VCEO MAX：
60V
hFE MIN：
1000
@VCE：
2V
VCE(SAT) MAX：
2V
@IC：
3A
@IB：
12mA

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