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MID	文件：94.6 Kbytes Page：3 Pages	Thin Film Microwave Resistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MID100-12A3	文件：118.44 Kbytes Page：4 Pages	IGBT Modules IGBTModules ShortCircuitSOACapability SquareRBSOA Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●switchingfrequencyupto30kHz ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparallelling ●	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MID112	文件：222.8 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andamplifiers.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MID-11422	文件：30.4 Kbytes Page：2 Pages	SIDE LOOK PACKAGE NPN PHOTODETECTOR Description TheMID-11422isaNPNsiliconphototransistormountedinalensed,waterclearplasticandsidelookingpackage. Features •Widerangeofcollectorcurrent •Lensedforhighsensitivity •Cleartransparentpackage •Lowcostplasticpackage	UOTUnity Opto Technology 东贝光电东贝光电科技股份有限公司	UOT
MID117	文件：222.91 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP DARLINGTON TRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputordriverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters,andamplifiers.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MID-11A22	文件：30.08 Kbytes Page：2 Pages	SIDE LOOK PACKAGE NPN PHOTODETECTOR Description TheMID-11A22isaNPNsiliconphototransistormountedinalensed,specialdarkplasticandsidelookingpackage. Features •Widerangeofcollectorcurrent •Lensedforhighsensitivity •Lowcostplasticpackage •GoodspectralmatchingtoIRED(lp940nm)type.	UOTUnity Opto Technology 东贝光电东贝光电科技股份有限公司	UOT
MID-11H22	文件：30.02 Kbytes Page：2 Pages	SIDE LOOK PACKAGE NPN PHOTODETECTOR Description TheMID-11H22isaNPNsiliconphototransistormountedinalensed,specialdarkplasticandsidelookingpackage. Features •Widerangeofcollectorcurrent •Lensedforhighsensitivity •Lowcostplasticpackage •GoodspectralmatchingtoIRED(lp>800nm)type.	UOTUnity Opto Technology 东贝光电东贝光电科技股份有限公司	UOT
MID122	文件：223.27 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
MID-13A45	文件：36.83 Kbytes Page：2 Pages	SIDE LOOK PACKAGE NPN PHOTOTRSNSISTOR Description TheMID-13A45isaTwoBitssiliconphototransistormountedinaspecialdarkplasticsidelookingpackage.Thelensingeffectofthepackageallowsawideacceptanceangle. Features ●Widerangeofcollectorcurrent ●Lowcostplasticpackage ●Highresolutionformouseapplicati	UOTUnity Opto Technology 东贝光电东贝光电科技股份有限公司	UOT
MID-14422	文件：30.41 Kbytes Page：2 Pages	SIDE LOOK PACKAGE NPN PHOTOTRANSISTOR Description TheMID-14422isaNPNsiliconphototransistormountedinalensed,waterclearplasticandsidelookingpackage. Features •Widerangeofcollectorcurrent •Lensedforhighsensitivity •Cleartransparentpackage •Lowcostplasticpackage	UOTUnity Opto Technology 东贝光电东贝光电科技股份有限公司	UOT

详细参数

型号：
MID
功能描述：
IGBT 模块 100 Amps 1200V
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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