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MIC4102BM-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
4102UE	文件：155.75 Kbytes Page：2 Pages	Security&Sound,4Conductor14AWGBC,LSZH ProductDescription Security&CommercialAudioCable,4-14AWGstranded(19x27)barecopperconductorswithpolyolefininsulation,FRNC/LSZHjacketwithripcord.	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
ACE4102E	文件：632.15 Kbytes Page：9 Pages	2.5A,3MHzSwitchingChargerwithDynamicPowerPathManagement	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACMD-4102	文件：256.04 Kbytes Page：12 Pages	UMTS/NCDMA/Co-bandGSMRxBand2Duplexer	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AM4102	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM4102isavailableinaTO252-2package. FEATURES VDS=30V,ID=50A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM4102DR	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM4102isavailableinaTO252-2package. FEATURES VDS=30V,ID=50A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM4102DVR	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM4102isavailableinaTO252-2package. FEATURES VDS=30V,ID=50A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AN4102	文件：174.36 Kbytes Page：16 Pages	Introducingthelow-powerconceptinautomotiveapplicationsusingtheSTM8ALboardoftheSTM8A-DISCOVERY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AOD4102	文件：296.66 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4102	文件：309.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=19A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=37mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD4102	文件：1.11152 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=30V,ID=19A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD4102	文件：151.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD4102/AOI4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS30V I	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI4102	文件：317.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI4102	文件：296.66 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI4102	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BX4102W	文件：121.35 Kbytes Page：4 Pages	BROADBANDxDSL,HPN,CMCs BROADBANDACCESS:xDSL,HPN,CMCs Broadbandhascomealongwayinthepastfewyears.Pulsecontinuestoleadthewaywithabroadrangeofcomponentsthatenabletwisted-paircopper,fiberandcoaxialcabletodeliverhigh-speedservicestohomesandbusinesses.Pulsecomponentsarealsous	pulse Pulse Electronics	pulse
C4102A	文件：73.79 Kbytes Page：1 Pages	4C227/30TCPVCPVCCOMMUNICATIONCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CD4102	文件：113.86 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •1N4099THRU1N4135AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4099THRU1N4135 •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4102	文件：96.51 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CHA4102-QEG	文件：758.77 Kbytes Page：16 Pages	SbandDigitalVGA	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS

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产品属性

产品编号：
MIC4102BM-TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 16V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
330ns，200ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MIC4102BM TR供应商更新时间2024-6-17 10:39:00

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