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AOI4102	文件：317.51 Kbytes Page：2 Pages	Marking：IPAK；Package：TO-251；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI4102	文件：296.66 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI4102	文件：959.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BX4102W	文件：121.35 Kbytes Page：4 Pages	BROADBANDxDSL,HPN,CMCs BROADBANDACCESS:xDSL,HPN,CMCs Broadbandhascomealongwayinthepastfewyears.Pulsecontinuestoleadthewaywithabroadrangeofcomponentsthatenabletwisted-paircopper,fiberandcoaxialcabletodeliverhigh-speedservicestohomesandbusinesses.Pulsecomponentsarealsous	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
C4102A	文件：73.79 Kbytes Page：1 Pages	4C227/30TCPVCPVCCOMMUNICATIONCABLE	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CD4102	文件：113.86 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •1N4099THRU1N4135AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4099THRU1N4135 •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL4102	文件：96.51 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4099UR-1THRU1N4135UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CHA4102-QEG	文件：758.77 Kbytes Page：16 Pages	SbandDigitalVGA	UMS United Monolithic Semiconductors	UMS
CLL4102	文件：109.37 Kbytes Page：2 Pages	LOWNOISEZENERDIODE6.8VOLTSTHRU47VOLTS500mW,5TOLERANCE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCLL4099SeriestypesarehighqualitySiliconZenerDiodesdesignedforlowleakage,lowcurrentandlownoiseapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CLL4102	文件：307.74 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWNOISESILICONZENERDIODES6.8VOLTSTHRU47VOLTS500mW,5TOLERANCE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
AOI4102
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8A TO251A
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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