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MJE200	文件：255.72 Kbytes Page：6 Pages	POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications. Features •Collector-EmitterSustainingVoltage-VCEO(sus)=25Vdc(Min)@IC=10mAdc •HighDCCurrentGain-hFE=70(Min)@IC=500mAdc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200	文件：42.12 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Feature •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •HighCurrentGainBandwidthProduct:fT=65MHz@IC=100mA(Min.) •ComplementtoMJE210	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE200	文件：242.53 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •LowCollector–EmitterSaturationVoltage- •DCCurrentGain-BandwidthProduct •HighDCCurrentGain •ComplementtoMJE210 APPLICATIONS •Designedforlowvoltage,low-power,high-gainaudioamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE200	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200	文件：339.37 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE200,MJE210typesarecomplementarysilicontransistorsdesignedforhighgainamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE200	文件：811.73 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowcollector-emittersaturationvoltage,highcurrentgainbandwidthproduct,ComplementtoMJE210. Applications Designedforgeneralaudioamplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJE200G	文件：120.99 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE200G	文件：170.29 Kbytes Page：6 Pages	ComplementarySiliconPowerPlasticTransistors Thesedevicesaredesignedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •HighDCCurrentGain •LowCollector−EmitterSaturationVoltage •HighCurrent−Gain−BandwidthProduct •AnnularConstructionforLowLeakage •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJS200	文件：89.01 Kbytes Page：2 Pages	LightningSurgeWithstandFuse	bel Bel Fuse Inc.	bel
MJS200-R	文件：1.44605 Mbytes Page：4 Pages	TYPEMJSLIGHTNINGSURGEWITHSTANDFUSE	bel Bel Fuse Inc.	bel

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更多MHC-C-200L供应商更新时间2025-7-23 15:01:00

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