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MH58TDD-R

8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator

文件:229.04 Kbytes 页数:1 Pages

MTRONPTI

MH58TDG

8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator

文件:229.04 Kbytes 页数:1 Pages

MTRONPTI

MH58TDG-R

8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator

文件:229.04 Kbytes 页数:1 Pages

MTRONPTI

MH58TDG-R

8 pin DIP, 3.3 or 5.0 Volt, HCMOS/TTL Clock Oscillator

文件:393.05 Kbytes 页数:1 Pages

MTRONPTI

MH5000-32

5G模组

5G 模组MH5000-32 采用紫光展锐春藤510 芯片,核心器件包括主芯片、PMU、射频等国产自主可控;支持NSA/SA 双模,帮助行业客户灵活接入不同5G 模式网络,支持中国5G SA 网络建设;4G/5G 全兼容,直接同步5G 网络覆盖节奏,保护客户设备投资。 5G NR 上下行速率(单CC,100M,8:2 配比)分别可达1.6Gbps(DL) 和250Mbps(UL),满足行业应用的高带宽要求;工作温度范围广至-40℃~85℃,采用高可靠性器件以及工业独特设计,适应工业环境的多样化;拥有业界标

TD Tech

鼎桥

TD Tech

MH5000-82

5G模组

5G 模组MH5000-82 采用紫光展锐春藤510 芯片,核心器件包括主芯片、PMU、射频等国产自主可控;支持NSA/SA 双模,帮助行业客户灵活接入不同5G 模式网络,支持中国5G SA 网络建设;4G/5G 全兼容,直接同步5G网络覆盖节奏,保护客户设备投资。 5G NR 上下行速率(单CC,100M,8:2 配比)分别可达1.6Gbps(DL) 和250Mbps(UL) ,满足行业应用的高带宽要求;工作温度范围广至-40℃~85℃,采用高可靠性器件以及工业独特设计,适应工业环境的多样化;拥有业界标

TD Tech

鼎桥

TD Tech

MH501

GaAs 数控移相器芯片

• 工作频率 (GHz) 5-6 \n\n• 位数 (bit) 6 \n\n• 插损 (dB) 5.2 \n\n• RMS(°) 0.8 \n\n• 移相附加 衰减(dB) ±0.8 \n\n• RF1 驻波 1.2 \n\n• RF2 驻波 1.2 \n\n• 控制电平(V) 0/-5 ;

VastChiplight

浩瀚芯光

VastChiplight

技术参数

  • 位数(bit):

    6

  • 插损(dB):

    5.2

  • RMS(°):

    0.8

  • 移相附加衰减(dB):

    ±0.8

  • RF1驻波:

    1.2

  • RF2驻波:

    1.2

  • 控制电平(V):

    0/-5

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更多MH5供应商 更新时间2026-1-24 11:02:00