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BFR193F	文件：54.04 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,F=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193T	文件：265.88 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193T	文件：258.26 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193T	文件：70.12 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193T	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlarge-signalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193TF	文件：146.84 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages. Feature	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193TW	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlarge-signalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193TW	文件：265.88 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193TW	文件：258.26 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BFR193W	文件：660.91 Kbytes Page：6 Pages	Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193W	文件：77.9 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193W	文件：56.88 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFR193W	文件：80.59 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR193W	文件：268.46 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFY193	文件：394.35 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY193	文件：122.94 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor(HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductorForlownoise,highgainbroadbandamplifiersupto2GHz.) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz,F=2.3dBat2GHz •eesaqualified •ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFY193	文件：149.81 Kbytes Page：4 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY193ES	文件：394.35 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY193H	文件：394.35 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFY193P	文件：394.35 Kbytes Page：5 Pages	HiRelNPNSiliconRFTransistor HiRelNPNSiliconRFTransistor •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz. •Forlinearbroadbandamplifiers •Hermeticallysealedmicrowavepackage •fT=8GHz F=2.3dBat2GHz •eesaSpaceQualified ESA/SCCDetailSpec.No.:	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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