BFY193分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BFY193 |
参数属性 | BFY193 封装/外壳为MICRO-X1;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1 |
功能描述 | HiRel NPN Silicon RF Transistor |
文件大小 |
394.35 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-23 16:14:00 |
BFY193规格书详情
HiRel NPN Silicon RF Transistor
• HiRel Discrete and Microwave Semiconductor
• For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz.
• For linear broadband amplifiers
• Hermetically sealed microwave package
• fT= 8 GHz
F = 2.3 dB at 2 GHz
• eesa Space Qualified
ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006 Type Variant No. 06
BFY193属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。英飞凌科技公司制造生产的BFY193晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
BFY193PZZZA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
7.5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz
- 增益:
12.5dB ~ 13.5dB
- 功率 - 最大值:
580mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 30mA,8V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作温度:
200°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
MICRO-X1
- 供应商器件封装:
MICRO-X1
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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