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BFY193分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFY193
厂商型号

BFY193

参数属性

BFY193 封装/外壳为MICRO-X1;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

功能描述

HiRel NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

文件大小

394.35 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-23 16:14:00

BFY193规格书详情

HiRel NPN Silicon RF Transistor

• HiRel Discrete and Microwave Semiconductor

• For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz.

• For linear broadband amplifiers

• Hermetically sealed microwave package

• fT= 8 GHz

F = 2.3 dB at 2 GHz

• eesa Space Qualified

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006 Type Variant No. 06

BFY193属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。英飞凌科技公司制造生产的BFY193晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    BFY193PZZZA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

  • 增益:

    12.5dB ~ 13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    580mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 30mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    MICRO-X1

  • 供应商器件封装:

    MICRO-X1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

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