选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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INFINEONCG-UX-4 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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INFINEONCG-UX-4 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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BFY193SAMZZZA1中文资料Alldatasheet PDF
更多BFY193S制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:HiRel NPN Silicon RF Transistor
BFY193SAMNZ功能描述:射频双极小信号晶体管 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel