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MH07N60CT	文件：1.40092 Mbytes Page：8 Pages	600V Silicon N-Channel Power MOSFET 文件：1.40092 Mbytes 页数：8 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
MH07N60CT	文件：300 bytes Page：1 Pages	HV MOSFET	CITC 竹懋科技	CITC
MHF07N60CT	文件：4.21888 Mbytes Page：8 Pages	600V Silicon N-Channel Power MOSFET 文件：4.21888 Mbytes 页数：8 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
MJU07N60CT	文件：302.39 Kbytes Page：7 Pages	600V Super Junction Power MOSFET 文件：302.39 Kbytes 页数：7 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
SPA07N60CFD	文件：348.3 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode Features • Intrinsic fast-recovery body diode • Extremely low reverse recovery charge • Ultra low gate charge • Extreme dv /dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications CoolMOS CFD designed for: • Soft switching PWM Stages • LCD & CR 文件：348.3 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

更多MH07N60CT供应商更新时间2026-1-25 10:20:00