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MGSF1N02L	文件：160.41 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 文件：160.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGSF1N02LT1	文件：187.8 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–conserving traits. These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola’s High Cell Density, HDTMOS process. Low rDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in space sensitive power management c 文件：187.8 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MGSF1N02LT1	文件：76.02 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts 750 mAMPS 20 VOLTS RDS(on) = 90 mΩ These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc−dc converters and power management in portabl 文件：76.02 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGSF1N02LT3	文件：76.02 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts 750 mAMPS 20 VOLTS RDS(on) = 90 mΩ These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc−dc converters and power management in portabl 文件：76.02 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MGSF1N02LT1	文件：63.29 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 文件：63.29 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGSF1N02LT1_05	文件：63.29 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 文件：63.29 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGSF1N02LT1G	文件：160.41 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 文件：160.41 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGSF1N02LT1G	文件：63.29 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 文件：63.29 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MGSF1N02LT3	文件：63.29 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 文件：63.29 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
20
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.4
ID Max (A)：
0.35
PD Max (W)：
0.4
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
130
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
90
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.2
Ciss Typ (pF)：
125
Package Type：
SOT-23-3

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