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MGFS45V2123	文件：25.84 Kbytes Page：2 Pages	2.1 - 2.3GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET DESCRIPTION TheMGFS45V2123isaninternallyimpedancematchedGaAspowerFETespeciallydesignedforusein2.1~2.3GHzbandamplifiers.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageguaranteeshighreliability. FEATURES ●ClassAoperation ●Internallymatchedto50(Ω)system ●Highoutput	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGFS45V2123A	文件：48.78 Kbytes Page：1 Pages	2.1 - 2.3GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET DESCRIPTION TheMGFS45V2123Aisaninternallyimpedance-matchedGaAspowerFETespeciallydesignedforusein2.1-2.3GHzbandamplifiers.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageguaranteeshighreliability. FEATURES ClassAoperation Internallymatchedto50(ohm)system Hi	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGFS45V2123A	文件：237.09 Kbytes Page：2 Pages	2.1 - 2.3GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET DESCRIPTION TheMGFS45V2123Aisaninternallyimpedance-matchedGaAspowerFETespeciallydesignedforusein2.1-2.3GHzbandamplifiers.Thehermeticallysealedmetal-ceramicpackageguaranteeshighreliability. FEATURES ClassAoperation Internallymatchedto50(ohm)system Hi	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
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MGFS45V2123A_11	文件：118.66 Kbytes Page：2 Pages	2.1-2.3 GHz BAND / 32W	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

详细参数

型号：
MGFS45V2123
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
2.1 - 2.3GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET

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