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MGFS45V2123A中文资料PDF规格书
MGFS45V2123A规格书详情
DESCRIPTION
The MGFS45V2123A is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 2.1 - 2.3 GHz band amplifiers.The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.
FEATURES
Class A operation
Internally matched to 50(ohm) system
High output power
P1dB = 32W (TYP.) @ f=2.1 - 2.3 GHz
High power gain
GLP = 12 dB (TYP.) @ f=2.1 - 2.3GHz
High power added efficiency
P.A.E. = 45 (TYP.) @ f=2.1 - 2.3GHz
Low distortion [item -51]
IM3=-45dBc(TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L.
APPLICATION
item 01 : 2.1 - 2.3 GHz band power amplifier
item 51 : 2.1 - 2.3 GHz band digital radio communication
产品属性
- 型号:
MGFS45V2123A
- 制造商:
MITSUBISHI
- 制造商全称:
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述:
2.1 - 2.3GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
10+ |
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MITSUBISHI |
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MIT |
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三菱 |
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三菱 |
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MITSUBISHI/三菱 |
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TO-59 |
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询价 | ||
MITSUBISHI |
10+ |
N/A |
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询价 | ||
MITSUBISH |
2018+ |
SMD |
5000 |
MITSUBISH专营品牌原装正品假一罚十 |
询价 |