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MGFS45V2123规格书详情
DESCRIPTION
The MGFS45V2123 is an internally impedance matched GaAs power FET especially designed for use in 2.1~2.3 GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.
FEATURES
● Class A operation
● Internally matched to 50 (Ω) system
● High output power
P1dB=30W (TYP.) @f=2.1~2.3GHz
● High power gain
GLP=12dB (TYP.) @f=2.1~2.3GHz
● High power added efficiency
ηadd=45 (TYP.) @f=2.1~2.3GHz
● Loe distortion [item -51]
IM3= -45dBc (TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L
APPLICATION
item 01 : 2.1~2.3GHz band power amplifier
item 51 : 2.1~2.3GHz band digital radio communication
产品属性
- 型号：
MGFS45V2123
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
2.1 - 2.3GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三菱 |
23+ |
高频管 |
350 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
MITSUBISHI |
2017+ |
SMD |
1585 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
MIT |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
MIT |
24+ |
NA |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IC |
23+ |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
MITSUBI |
24+ |
SMD |
1680 |
一级代理原装进口现货 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
东芝 |
100 |
原装现货,价格优惠 |
询价 | ||||
MITSUBISHI |
23+ |
N/A |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
东芝 |
24+ |
模块 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 |
