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MGFS45V2123A中文资料PDF规格书
MGFS45V2123A规格书详情
DESCRIPTION
The MGFS45V2123A is an internally impedance-matched GaAs power FET especially designed for use in 2.1 - 2.3 GHz band amplifiers.The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.
FEATURES
Class A operation
Internally matched to 50(ohm) system
High output power
P1dB = 32W (TYP.) @ f=2.1 - 2.3 GHz
High power gain
GLP = 12 dB (TYP.) @ f=2.1 - 2.3GHz
High power added efficiency
P.A.E. = 45 (TYP.) @ f=2.1 - 2.3GHz
Low distortion [item -51]
IM3=-45dBc(TYP.) @Po=34.5dBm S.C.L.
APPLICATION
item 01 : 2.1 - 2.3 GHz band power amplifier
item 51 : 2.1 - 2.3 GHz band digital radio communication
产品属性
- 型号：
MGFS45V2123A
- 制造商：
MITSUBISHI
- 制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述：
2.1 - 2.3GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBISHI |
10+ |
N/A |
11 |
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询价 | ||
MIT |
N/A |
90000 |
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询价 | |||
MITSUBISHI |
2017+ |
SMD |
1585 |
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三菱 |
23+ |
高频管 |
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MIT |
SMD |
265209 |
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询价 | |||
三菱 |
2022 |
83 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
询价 | |||
三菱 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
MITSUBISHI/三菱 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
10+ |
N/A |
111 |
全新原装 实单必成 |
询价 | ||
MITSUBISH |
2018+ |
SMD |
5000 |
MITSUBISH专营品牌原装正品假一罚十 |
询价 |
