IGBT(FRD内置)

MGD622是600V Trench型IGBT。采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。\nIGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。 ・低饱和电压\n・高速开关\n・内置FRD\n・端子部无铅（符合RoHS指令）;

Sanken

三垦

VCE = 600 V, IC = 20 A Trench IGBT with Fast Recovery Diode

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Sanken

三垦

600 V, 20 A, IGBT

Features  Low Saturation Voltage  High Speed Switching  RoHS Compliant  VCE ------------------------------------------------------ 600 V  IC-------------------------------------------20 A (TC = 100 °C)  VCE(sat)-----------------------------------------------2.1 V typ.  tf ---------

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Sanken

三垦

Military DC-DC Power Supplies

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Vicor

Military DC-DC Power Supplies

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Vicor