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MGA-412P8	文件：125.12 Kbytes Page：8 Pages	GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier optimized for IEEE 802.11b/g applications 文件：125.12 Kbytes 页数：8 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
MGA-412P8	文件：264.5 Kbytes Page：8 Pages	GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier 文件：264.5 Kbytes 页数：8 Pages	BOARDCOM 博通	BOARDCOM
MGA-412P8	文件：300 bytes Page：1 Pages	WLAN 功率放大器，3% EVM 时线性功率输出为 19.0 dBm 安华高科技 (Broadcom) 的 MGA-412P8 是一款采用小型 2 x 2 x 0.75 mm3 无引线塑料芯片载体 (LPCC, Leadless Plastic Chip Carrier) 封装的 802.11 b/g 的无线局域网 (WLAN) 功率放大器，专为 1.7 -3 GHz 频率范围的应用所设计，尤其适合 IEEE 802.11b/g 无线局域网应用。小占用面积、小尺寸、内嵌功率侦测电路、电源关闭功能以及绝佳的功率效率使得 MGA-412P8 成为移动 IEEE 802.11b g WLAN 应用的理想选择。它在 3% EVM 54Mb/s 数据传输率 (O MGA-412P8 线性功率放大器是特别面向 1.7 - 3 GHz 频率范围的无线应用所设计。·在 2.452 GHz, 3.3V 典型条件下 \n·25.5 dB 增益 \n·25.3 dBm P1dB \n·在 3% EVM 95mA 时线性功率输出为 19.0 dBm \n·小占用面积：2X2 mm2;	Broadcom 博通	Broadcom
MGA-412P8_08	文件：264.5 Kbytes Page：8 Pages	GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier optimized for IEEE 802.11b/g applications 文件：264.5 Kbytes 页数：8 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
MGA-412P8_15	文件：264.5 Kbytes Page：8 Pages	GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier 文件：264.5 Kbytes 页数：8 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
MGA-412P8-BLKG	文件：125.12 Kbytes Page：8 Pages	GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier optimized for IEEE 802.11b/g applications 文件：125.12 Kbytes 页数：8 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
MGA-412P8-BLKG	文件：264.5 Kbytes Page：8 Pages	GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier optimized for IEEE 802.11b/g applications 文件：264.5 Kbytes 页数：8 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
MGA-412P8-TR1G	文件：125.12 Kbytes Page：8 Pages	GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier optimized for IEEE 802.11b/g applications 文件：125.12 Kbytes 页数：8 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
MGA-412P8-TR1G	文件：264.5 Kbytes Page：8 Pages	GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier optimized for IEEE 802.11b/g applications 文件：264.5 Kbytes 页数：8 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO
MGA-412P8-TR2G	文件：125.12 Kbytes Page：8 Pages	GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier optimized for IEEE 802.11b/g applications 文件：125.12 Kbytes 页数：8 Pages	AVAGO 安华高	AVAGO

技术参数

Distrib. Inventory：
Yes
RoHS6 Compliant：
Y
Frequency (GHz)：
1.7-3
Bias Condition (V@mA)：
3.3V@95mA
Gain (dB)：
25.5
P1dB (dBm)：
25.3
PSAT (dBm)：
27
Package：
SMT 2x2

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