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MG800FXF2YMS3	文件：589.91 Kbytes Page：11 Pages	High-Power Module Silicon Carbide N-Channel MOSFET Applications • High-Power Switching • Motor Controllers (including rail traction) Features (1) VDSS = 3300 V, ID = 800 A All SiC MOSFET Module(Low loss & High speed switching) (2) New generation standard package(Compact & easily handled by paralleling) (3) Low stray inductance, low thermal 文件：589.91 Kbytes 页数：11 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
MG800FXF2YMS3	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET Modules	Toshiba 东芝	Toshiba
MG80486DX-33	文件：0 bytes Page：0 Pages		INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)
MG80C196KB-12	文件：0 bytes Page：0 Pages		INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)
MG811	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP6	WINSENZhengzhou Winsen Electronics Technology Co., Ltd. 炜盛科技郑州炜盛电子科技有限公司上传：深圳市英博尔电子有限公司	WINSEN

技术参数

Circuit Configuration：
2in1
Feature：
All SiC MOSFET type
VDSS (Max) (V)：
3300
ID (Max) (A)：
800
Tch (Max) (℃)：
175
VDS(on)sense (Typ.) (V)：
1.6
VSD(off)sense (Typ.) (V)：
2.3
Eon (Typ.) (mJ)：
250
Eoff (Typ.) (mJ)：
240
Err (Typ.) (mJ)：
11
Package name：
iXPLV

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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