1200V 75A Insulated Gate Bipolar Transistor

Features 1) Trench Light Punch Through Type 2) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 3) Short Circuit Withstand Time 10μs Application General Inverter for Industrial Use

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ROHM

罗姆

短路耐受时间10µs, 1200V 75A, IGBT裸芯片

应用： 续流 \n\n关于裸芯片的规格和销售，请咨询ROHM销售部门。目前尚未开始网售。 • Trench Light Punch Through Type\n• Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n• Short Circuit Withstand Time 10μs;

ROHM

罗姆

High-Speed USB 2.0 (480 Mbps) DPST Switch

文件：553.58 Kbytes 页数：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

High-Speed USB 2.0 DPST Switch

文件：264.02 Kbytes 页数：9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

High-Speed USB 2.0 DPST Switch

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ONSEMI

安森美半导体