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MG6306WZ	文件：246.38 Kbytes Page：4 Pages	650V 20A Insulated Gate Bipolar Transistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MIS6306	文件：486.48 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NAS6306	文件：1.63529 Mbytes Page：4 Pages	NATIONALAEROSPACESTANDARD	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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NX6306	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6306GH	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
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NX6306GK	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NX6306SH	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL

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