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ME50P04	文件：1.07823 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.07823 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME50P04	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Force mos 力士科技	Force mos
NP50P04KDG	文件：181.45 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP50P04KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 10 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −25 A) • Low input capacitance Ci 文件：181.45 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP50P04KDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP50P04SDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Type：
P
Schottky：
No
ESD(KV)：
N
Appication：
load switch
VDS(V)：
-40.0
Vgs(V)：
20
Ids(A)：
-34.0
Pd(W)：
27.0
Vgs(th)max(V)：
-3.0
Qg(nC)(4.5V)：
27.0
Qgs(nC)：
12.0
Qgd(nC)：
9.0
Ciss(pF)：
2590.0
Crss(pF)：
229.0

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