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ME50P04	文件：1.07823 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
50P04	文件：1.91367 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
HLDD50P04	文件：698.84 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司
HLDD50P04	文件：507.16 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
MCU50P04	文件：558.31 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司
NP50P04KDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NP50P04KDG	文件：181.45 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP50P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=10mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance Ci	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NP50P04SDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NP50P04SDG	文件：1.07819 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
NP50P04SLG	文件：1.07808 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
NP50P04SLG	文件：241.04 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) ⎯RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
PJD50P04	文件：673.8 Kbytes Page：6 Pages	40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
PJD50P04-AU	文件：1.78295 Mbytes Page：6 Pages	40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
SQD50P04	文件：161.24 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
SQM50P04	文件：162.02 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
SUD50P04	文件：3.19134 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features Vos=-40VID=-50A ROS(ON)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
UTT50P04	文件：145.04 Kbytes Page：3 Pages	-40V,-60AP-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
WSF50P04	文件：1.05464 Mbytes Page：5 Pages	HighFrequencyPoint-of-LoadSynchronousBuckConverterforMB/NB/UMPC/VGA	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807
YFW50P04AD	文件：1.57323 Mbytes Page：5 Pages	-40VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
YFW50P04NF	文件：1.27833 Mbytes Page：5 Pages	-40VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司

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