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ME4856

MOSFET

Force mos

力士科技

NTD4856N

Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

文件:104.83 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD4856N

Power MOSFET

文件:124.52 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD4856N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 89A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:299.91 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • Type:

    N

  • Schottky:

    No

  • ESD(KV):

    N

  • Appication:

    load switch

  • VDS(V):

    30.0

  • Vgs(V):

    20

  • Ids(A):

    16.0

  • Pd(W):

    2.0

  • Vgs(th)max(V):

    3.0

  • Qg(nC)(4.5V):

    55.0

  • Qgs(nC):

    10.0

  • Qgd(nC):

    15.0

  • Ciss(pF):

    2400.0

  • Crss(pF):

    110.0

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更多ME4856供应商 更新时间2026-4-21 19:18:00