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ME35N06	文件：897.44 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME35N06T	文件：1.31383 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
35N06	文件：781.59 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelPowerMosfet Features VDS=60V,ID=35A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),30mΩ(Typ)@VGS=4.5V FastSwitching LowONResistance(Rdson≤29mΩ) LowGateCharge LowReversetransfercapacitances 100SinglePulseavalancheenergyTest	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
HRP35N06K	文件：812.36 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRP35N06K	文件：973.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
MTH35N06	文件：293.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM35N06	文件：261.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP35N06E	文件：301.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=55mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDT35N06	文件：1.49745 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PJD35N06A	文件：801.72 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD35N06A-AU	文件：446.11 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJP35N06A	文件：801.72 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJU35N06A	文件：801.72 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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