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ME2816	文件：398.625 Kbytes Page：11 Pages		MicrOneNajing Micro One Electronics Inc. 南京微盟南京微盟电子有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	MicrOne
ME2816%U00A0Series	文件：473.739 Kbytes Page：11 Pages		MicrOneNajing Micro One Electronics Inc. 南京微盟南京微盟电子有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	MicrOne
NJM2816	文件：410.63 Kbytes Page：21 Pages	1.5ALOWDROPOUTREGULATORWITHVOLTAGECORRECTIONCIRCUIT ■FEATURES ●OutputCurrent1.5A ●DefaultOutputVoltageAccuracy5.1V±0.9 ●AdjustableOutputVoltage5.15V±1.2 ●OutputVoltageCorrection VO+375mV(typ),0mAto1500mAatRADJ=10kΩ ●InternalFixedSoft-Start4msec(typ) ●ErrorFlagOutput(FAULT) ●ErrorFlagOutputDel	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NMC2816	文件：423.59 Kbytes Page：6 Pages	16K(2KX8)ELECTRICALLYERASABLEPROM	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
SCH2816	文件：65.61 Kbytes Page：5 Pages	SCH2816 MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithanN-channelsiliconMOSFET(SCH1416)andaSchottkybarrierdiode(SS05015)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. •[MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswit	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SCH2816	文件：50.36 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiodeGeneral-PurposeSwitchingDevice	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SSF2816E	文件：331.97 Kbytes Page：5 Pages	HighPowerandcurrenthandingcapability DESCRIPTION TheSSF2816EusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. GENERALFEATURES ●VDS=20V,ID=7A RDS(ON)	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF2816E	文件：576.67 Kbytes Page：6 Pages	20VDualN-ChannelMOSFET Description Itutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievethehighcelldensityandreducestheon-resistancewithhighrepetitiveavalancherating.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabledeviceforuseinpowerswitchingapplicationandawideva	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SSF2816EB	文件：304.48 Kbytes Page：5 Pages	HighPowerandcurrenthandlingcapability DESCRIPTION TheSSF2816EBusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas0.75V. GENERALFEATURES ●VDS=20V,ID=7A RDS(ON)	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSF2816EB	文件：483.6 Kbytes Page：4 Pages	20VDualN-ChannelMOSFET DESCRIPTION TheSSF2816EBusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas0.75V. GENERALFEATURES ●VDS=20V,ID=7A RDS(ON)	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark

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