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ME2306D	文件：486.78 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：486.78 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME2307	文件：495.47 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.47 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME2307S	文件：495.51 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.51 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME2308	文件：475.4 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：475.4 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME2308D	文件：475.83 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：475.83 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME2309	文件：1.1131 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available 文件：1.1131 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME2302A29T	文件：472.13 Kbytes Page：4 Pages	High-density cell design for ultra low on-resistance 文件：472.13 Kbytes 页数：4 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
ME2303	文件：1.18263 Mbytes Page：5 Pages	Super high density cell design for extremely low RDS(ON) 文件：1.18263 Mbytes 页数：5 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
ME2304	文件：1.86741 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.86741 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ME2306A	文件：1.02606 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02606 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Type：
P
Schottky：
No
ESD(KV)：
N
Appication：
load switch
VDS(V)：
-20.0
Vgs(V)：
8
Ids(A)：
-2.0
Pd(W)：
1.0
Vgs(th)max(V)：
-1.0
Qg(nC)(4.5V)：
5.0
Qgs(nC)：
1.0
Qgd(nC)：
1.0
Ciss(pF)：
510.0
Crss(pF)：
17.0

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