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MDS3653	文件：719.3 Kbytes Page：6 Pages	Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -14.6A, 7m(ohm) 文件：719.3 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS3653URH	文件：719.3 Kbytes Page：6 Pages	Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -14.6A, 7m(ohm) 文件：719.3 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS3653URH	文件：1.042119 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.042119 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MDS3653URH	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

技术参数

Vds [V]：
-30
Ids [A] 25°C：
-14.6
Vgs(th) [Max V]：
-2
Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：
7
Qg[nC] at 10V：
15
Qgs [nC]：
70
Qgd [nC]：
8
Option：
15
P SpiceModelInfo：
SOIC 8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MDS3653供应商更新时间2025-12-13 14:38:00

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