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MJE170	文件：110 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Lowfrequencyamplifier ●Lowcurrent ●Highspeedswitchingapplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MJE170	文件：71.77 Kbytes Page：1 Pages	SILICONCOMPLEMENTRYPOWERTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE170	文件：95.68 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONPLASTICPOWERTRANSISTORS ...designedforlowpoweramplifierandlowcurrent,highspeedswitchiiapplications. FEATURES: *Collector-EmitterSustainingVoHage- VCEO(SUS)=40V(Min)-MJE170.MJE180 =60V(Min)-MJE171.MJE181	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE170G	文件：83.18 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors40??60??80VOLTS12.5WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE170G	文件：125.78 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors TheMJE170/180seriesisdesignedforlowpoweraudioamplifierandlowcurrent,highspeedswitchingapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=40Vdc−MJE170,MJE180 =60Vdc−MJE171,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE170-TU	文件：1.30081 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowPowerAudioAmplifier LowCurrent,HighSpeedSwitchingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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详细参数

型号：
MDS170L
功能描述：
170 Watts, 36 Volts, Pulsed Avionics 1030/1090 MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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