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MDS400	文件：28.74 Kbytes Page：1 Pages	400 Watts Pk, 45 Volts, 32us, 2 Avionics 1030-1090 MHz GENERALDESCRIPTION TheMDS400isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding400WattsPeak,Pulsed,RFOutputPowerovertheband1030-1090MHz.Thetransistorincludesdoubleinputprematchingforfullbroadbandcapability.GoldMetalizationandDiffusedBallastingareusedtoprovidehighr	GHZTECH GHz Technology	GHZTECH
MDS400	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：55KT；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MDS400A08	文件：1.18052 Mbytes Page：3 Pages	RECTIFIER MODULE Features Lowreverseleakagecurrent Highsurgecurrentcapability ComplianttoRoHSdirective2011/65/EU	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MDS400A10	文件：1.18052 Mbytes Page：3 Pages	RECTIFIER MODULE Features Lowreverseleakagecurrent Highsurgecurrentcapability ComplianttoRoHSdirective2011/65/EU	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
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MDS400A16	文件：1.18052 Mbytes Page：3 Pages	RECTIFIER MODULE Features Lowreverseleakagecurrent Highsurgecurrentcapability ComplianttoRoHSdirective2011/65/EU	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY

产品属性

产品编号：
MDS400
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
频率 - 跃迁：
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益：
6.5dB
功率 - 最大值：
1450W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
40A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55KT
供应商器件封装：
55KT
描述：
RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT

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