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MDS150SLASH16	文件：918.19 Kbytes Page：3 Pages	THREE PHASE BRIDGE MODULE 文件：918.19 Kbytes 页数：3 Pages	IRI	IRI
MDS1521	文件：682.15 Kbytes Page：5 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 28.2A, 4.0m(ohm) 文件：682.15 Kbytes 页数：5 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1521URH	文件：682.15 Kbytes Page：5 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 28.2A, 4.0m(ohm) 文件：682.15 Kbytes 页数：5 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1521URH	文件：1.0066 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0066 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MDS1524	文件：667.31 Kbytes Page：5 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 19.3A, 8.1m(ohm) 文件：667.31 Kbytes 页数：5 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1524URH	文件：667.31 Kbytes Page：5 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 19.3A, 8.1m(ohm) 文件：667.31 Kbytes 页数：5 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1525	文件：670.77 Kbytes Page：5 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16.9A, 10.1m(ohm) 文件：670.77 Kbytes 页数：5 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1525URH	文件：670.77 Kbytes Page：5 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16.9A, 10.1m(ohm) 文件：670.77 Kbytes 页数：5 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1526	文件：670.49 Kbytes Page：5 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16.1A, 11.0m(ohm) 文件：670.49 Kbytes 页数：5 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1526URH	文件：670.49 Kbytes Page：5 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 30V, 16.1A, 11.0m(ohm) 文件：670.49 Kbytes 页数：5 Pages	MGCHIP	MGCHIP

产品属性

产品编号：
MDS150
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
60V
频率 - 跃迁：
1.03GHz ~ 1.09GHz
增益：
10dB
功率 - 最大值：
350W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
4A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55AW
供应商器件封装：
55AW
描述：
RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW

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