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MDP1922TH	文件：266.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：266.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDP1922TH	文件：929.08 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 97A, 8.4m(ohm) 文件：929.08 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP1922TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MP1922	文件：600.34 Kbytes Page：21 Pages	100V, 3A, Single-Channel,Half-Bridge Pre-Driver IC FEATURES • Supports 100V Supply Operation • 3A Source, 4A Sink Gate Drive Current • Internal Charge Pump and Auto-Refresh for High-Side (HS) Gate Drive • Integrated Current-Sense Amplifier • Low-Power Sleep Mode • Programmable Controlled Slew Rate • Desaturation Protection of External MOS 文件：600.34 Kbytes 页数：21 Pages	MPS 美国芯源	MPS
MP1922GV	文件：600.34 Kbytes Page：21 Pages	100V, 3A, Single-Channel,Half-Bridge Pre-Driver IC FEATURES • Supports 100V Supply Operation • 3A Source, 4A Sink Gate Drive Current • Internal Charge Pump and Auto-Refresh for High-Side (HS) Gate Drive • Integrated Current-Sense Amplifier • Low-Power Sleep Mode • Programmable Controlled Slew Rate • Desaturation Protection of External MOS 文件：600.34 Kbytes 页数：21 Pages	MPS 美国芯源	MPS
MP1922GV-Z	文件：600.34 Kbytes Page：21 Pages	100V, 3A, Single-Channel,Half-Bridge Pre-Driver IC FEATURES • Supports 100V Supply Operation • 3A Source, 4A Sink Gate Drive Current • Internal Charge Pump and Auto-Refresh for High-Side (HS) Gate Drive • Integrated Current-Sense Amplifier • Low-Power Sleep Mode • Programmable Controlled Slew Rate • Desaturation Protection of External MOS 文件：600.34 Kbytes 页数：21 Pages	MPS 美国芯源	MPS

技术参数

Vds [V]：
100
Ids [A] 25°C：
120.0
Vgs(th) [Max V]：
4.0
Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：
8.4
Qgs [nC]：
54.5
Qgd [nC]：
16.4
Option：
10.3
P SpiceModelInfo：
TO-220

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