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MDP1921	文件：318.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MDP1921	文件：1.10477 Mbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 4.5m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
MDP1921TH	文件：331.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
MDP1921TH	文件：1.10477 Mbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 4.5m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.
1921	文件：230.07 Kbytes Page：1 Pages	FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] THREADEDSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
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1921B	文件：230.07 Kbytes Page：1 Pages	FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] THREADEDSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
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1921F	文件：230.07 Kbytes Page：1 Pages	FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] THREADEDSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
AH1921	文件：588.91 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA-LOWPOWERDIGITALOMNIPLOARHALL-EFFECTSWITCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AWT1921	文件：457.04 Kbytes Page：12 Pages	IntegratedHighPowerAmp1610MHz PRODUCTDESCRIPTION TheAWT1921isafourstagemonolithicamplifierforuseincommunicationsystemsthatrequirehighgainandoutputinterceptpoint.Thedevicehasbeenspecificallydesignedforfixedsatelliteaccessequipmentandhandsetboosteramplifierapplications. FEATURES •HighOu	ANADIGICS ANADIGICS
C1921	文件：10.84 Kbytes Page：11 Pages	ChannelPhotomultipliers Features •Ultrahighanodesensitivityupto107A/W •Extremelylowdarkcurrent,typically3pA@106gain •Verylowequivalentnoiseinput(downto10-17W) •Veryhighstabilityindarkcurrent(no”bursts”) •Highgainexceeding108 •Veryhighdynamicrange •Compactdimensions •W	PerkinElmer PerkinElmer
C1921P	文件：10.84 Kbytes Page：11 Pages	ChannelPhotomultipliers Features •Ultrahighanodesensitivityupto107A/W •Extremelylowdarkcurrent,typically3pA@106gain •Verylowequivalentnoiseinput(downto10-17W) •Veryhighstabilityindarkcurrent(no”bursts”) •Highgainexceeding108 •Veryhighdynamicrange •Compactdimensions •W	PerkinElmer PerkinElmer
DS1921	文件：271.66 Kbytes Page：44 Pages	High-ResolutionThermochroniButton iButtonDESCRIPTION TheDS1921GThermochroniButtonisarugged,self-sufficientsystemthatmeasurestemperatureandrecordstheresultinaprotectedmemorysection.Therecordingisdoneatauser-definedrate,bothasadirectstorageoftemperaturevaluesaswellasintheformofahistogr	Dallas Dallas Semiconductor Corp.
DS1921	文件：306.02 Kbytes Page：1 Pages	BallFlowIndicator	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司
DS1921G	文件：484.46 Kbytes Page：42 Pages	ThermochroniButton	MaximMaximIntegrated 美信半导体
DS1921G	文件：497.17 Kbytes Page：45 Pages	ThermochroniButton iButtonDESCRIPTION TheDS1921GThermochroniButtonisarugged,self-sufficientsystemthatmeasurestemperatureandrecordstheresultinaprotectedmemorysection.Therecordingisdoneatauser-definedrate,bothasadirectstorageoftemperaturevaluesaswellasintheformofahistogr	Dallas Dallas Semiconductor Corp.
DS1921G	文件：468.73 Kbytes Page：42 Pages	ThermochroniButton GeneralDescription TheDS1921GThermochron®iButton®isarugged,selfsufficientsystemthatmeasurestemperatureandrecords theresultinaprotectedmemorysection.Therecordingisdoneatauser-definedrate,bothasadirectstorageoftemperaturevaluesaswellasintheformofahist	MaximMaximIntegrated 美信半导体

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更多MDP1921供应商更新时间2024-4-28 10:30:00

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