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MDP1921	文件：318.42 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDP1921	文件：1.10477 Mbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 4.5m(ohm) 文件：1.10477 Mbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP1921TH	文件：331.7 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：331.7 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDP1921TH	文件：1.10477 Mbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 4.5m(ohm) 文件：1.10477 Mbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP1921TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

技术参数

Vds [V]：
100
Ids [A] 25°C：
120.0
Vgs(th) [Max V]：
4.0
Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：
4.5
Qgs [nC]：
100.0
Qgd [nC]：
27.0
Option：
26.0
P SpiceModelInfo：
TO-220

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