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MDP1901	文件：862.14 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 36A, 22m(ohm) 文件：862.14 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP1901TH	文件：332.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：332.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDP1901TH	文件：946.2 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：946.2 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MDP1901TH	文件：862.14 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 36A, 22m(ohm) 文件：862.14 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP1901TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

技术参数

Vds [V]：
100
Ids [A] 25°C：
120.0
Vgs(th) [Max V]：
4.0
Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：
22.0
Qgs [nC]：
75.0
Qgd [nC]：
20.0
Option：
18.0
P SpiceModelInfo：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	MDP1901	美格纳	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	MDP1901	MAGNACHIP/美格纳	09+	TO220	20		询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MDP1901	MAGNACHIP/美格纳	23+	TO-220	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	MDP1901	MAGA	2450+	TO-220	18500	只做原厂原装正品终端客户免费申请样品	询价
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更多MDP1901供应商更新时间2026-1-17 10:59:00

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