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MDP06N090	文件：949.6 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 60V, 62A, 9.0m(ohm) 文件：949.6 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP06N090TH	文件：332.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 62A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：332.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDP06N090TH	文件：949.6 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 60V, 62A, 9.0m(ohm) 文件：949.6 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDP06N090TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

技术参数

Vds [V]：
60
Ids [A] 25°C：
60.2
Vgs(th) [Max V]：
3.2
Rds(on) [Ohm Max]Vgs=10V：
9.0
Qg[nC] at 10V：
32.2
Qgs [nC]：
12.5
Qgd [nC]：
5.0
Package：
TO-220
P Spice Model Info：

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MDP06N090供应商更新时间2026-4-21 9:50:00

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