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MDIS1903TH	文件：829.13 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m(ohm) 文件：829.13 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDIS1903TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MDS1903	文件：831.1 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 3.3A, 110m(ohm) 文件：831.1 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1903URH	文件：831.1 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 3.3A, 110m(ohm) 文件：831.1 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDS1903URH	文件：1.96509 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.96509 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Vds [V]：
100
Ids [A] 25°C：
25.0
Vgs(th) [Max V]：
3.0
Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：
105.0
Qgs [nC]：
8.8
Qgd [nC]：
1.7
Option：
2.3
P SpiceModelInfo：
VS I-Pak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	MDIS1903TH	MAGNACHIP/美格纳	2022+	TO-251	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
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