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MDF8N60B

N-Channel MOSFET 600V, 8A, 1.05(ohm)

文件:840.66 Kbytes 页数:6 Pages

MGCHIP

MDF8N60BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.05Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:322.96 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MDF8N60BTH

N-Channel MOSFET 600V, 8A, 1.05(ohm)

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MGCHIP

MDF8N60BTH

600V N-Ch MOSFET

MagnaChip

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更多MDF8N60B供应商 更新时间2025-10-7 14:02:00