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MDF7N65BTH	文件：322.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.35Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF7N65BTH	文件：820.58 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 650V, 7.0A, 1.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MSF7N65	文件：1.11953 Mbytes Page：9 Pages	SimpleDriveRequirement	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MT7N65C	文件：1.1074 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTN7N65CFP	文件：494.66 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN7N65FP	文件：333.94 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
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NJ7N65-BL	文件：1.00087 Mbytes Page：9 Pages	7.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES VDS=650V ID=7.0A RDS(on)=1.8ohm@VGS=10V Highswitchingspeed 100avalanchetested	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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NJ7N65-LI	文件：1.00087 Mbytes Page：9 Pages	7.0A650VN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES VDS=650V ID=7.0A RDS(on)=1.8ohm@VGS=10V Highswitchingspeed 100avalanchetested	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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