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MDF1921TH	文件：985.53 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 60A, 4.8m(ohm) 文件：985.53 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF1921TH	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
SA1921	文件：507.87 Kbytes Page：36 Pages	Satellite and cellular dual-band RF front-end DESCRIPTION The SA1921 is an integrated dual-band RF front-end that operates at both cellular (AMPS, DAMPS, and GSM) and satellite (1515–1600 MHz) frequencies, and is designed in a 13 GHz fT BiCMOS process—QUBiC1. The low-band is a combined low-noise amplifier (LNA) and mixer. The LNA has a 1.7 d 文件：507.87 Kbytes 页数：36 Pages	PHI PHI	PHI
SEL1921D	文件：30.42 Kbytes Page：1 Pages	3x5 Rectangular LED 3×5 Rectangular LED 文件：30.42 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
UCC1921	文件：497.97 Kbytes Page：11 Pages	Latchable Negative Floating Hot Swap Power Manager 文件：497.97 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Vds [V]：
100
Ids [A] 25°C：
60.0
Vgs(th) [Max V]：
4.0
Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：
4.8
Qgs [nC]：
100.0
Qgd [nC]：
27.0
Option：
26.0
P SpiceModelInfo：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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