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MSF16N50	文件：456.09 Kbytes Page：4 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSW16N50	文件：900.2 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTV16N50E	文件：298.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTV16N50E	文件：270.7 Kbytes Page：10 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTV16N50E	文件：276.42 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET16AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.40OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorD3PAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMOSE–FETis	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
PSM16N50CT	文件：679.36 Kbytes Page：10 Pages	16A500VSingleN?륝hannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
SIHB16N50C	文件：322.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHB16N50C	文件：271.29 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-meritRonxQg •100avalanchetested •Gatechargeimproved •trr/Qrrimproved •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoHS-compliantand/orpa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF16N50C	文件：271.29 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-meritRonxQg •100avalanchetested •Gatechargeimproved •trr/Qrrimproved •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoHS-compliantand/orpa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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