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SIHP12N50C	文件：328.62 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFETs FEATURES •LowFigure-of-MeritRonxQg •100AvalancheTested •GateChargeImproved •Trr/QrrImproved •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP12N50C	文件：328.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHP12N50E	文件：159.17 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Lowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Compu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP12N50E	文件：328.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF12N50U	文件：571.58 Kbytes Page：12 Pages	N-channel500V,0.55Ω,10ATO-220FPUltrafastMESH™PowerMOSFET Features ■100avalanchetested ■Outstandingdv/dtcapability ■Gatechargeminimized ■Verylowintrinsiccapacitance ■VerylowRDS(on) ■Extremelylowtrr Application ■Switchingapplications –HighvoltageinvertersspecificforLCDTV –Lightingfullbridgetopology –Motorcont	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
T12N50	文件：1.03491 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TF12N50	文件：1.02451 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TMA12N50H	文件：670.09 Kbytes Page：5 Pages	500VN-ChannelMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC
ZXT12N50DX	文件：267.5 Kbytes Page：6 Pages	DUAL50VNPNSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION Thisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •ExtremelyLowEquival	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXT12N50DX	文件：258.81 Kbytes Page：6 Pages	DUAL50VNPNSILICONLOWSATURATIONSWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTIONThisnew4thgenerationultralowsaturationtransistorutilisestheZetexmatrixstructurecombinedwithadvancedassemblytechniquestogiveextremelylowonstatelosses.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltageswitchingapplications. FEATURES •ExtremelyLowEquivale	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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