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MDE6IC9120GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

The MDE6IC9120N/GN wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 920 to 960 MHz. This multi-stage structure is rated for 26 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base station modulation formats. • Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Perfo

文件:329.5 Kbytes 页数:18 Pages

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MDE6IC9120GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

文件:393.79 Kbytes 页数:18 Pages

恩XP

恩XP

MDE6IC9120GNR1

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

恩XP

恩XP

MDF11N60TH

TO220F

美格纳

MDF12N50TH

TO220F

Magnachip

详细参数

  • 型号:

    MDE6IC9120GNR1

  • 功能描述:

    射频放大器 INTEGRATED POWER AMP

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 输出截获点:

    37.5 dBm

  • 功率增益类型:

    32 dB

  • 噪声系数:

    0.85 dB

  • 工作电源电压:

    5 V

  • 电源电流:

    125 mA

  • 测试频率:

    2.6 GHz

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    QFN-16

  • 封装:

    Reel

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更多MDE6IC9120GNR1供应商 更新时间2026-10-4 14:32:00