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MDE1752RH	文件：332.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 66A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 8mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：332.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDE1752RH	文件：1.07421 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.07421 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MDE1752RH	文件：671.62 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Trench MOSFET 40V, 66A, 8.0m(ohm) 文件：671.62 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDE1752RH	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

技术参数

Vds [V]：
40
Ids [A] 25°C：
120.0
Vgs(th) [Max V]：
3.0
Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：
8.0
Qg[nC] at 10V：
10.5
Qgs [nC]：
26.4
Qgd [nC]：
3.6
Option：
6.8
P SpiceModelInfo：
D2 PAK

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