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MDD1951	文件：929.24 Kbytes Page：6 Pages	Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 17.9A, 45.0m(ohm) 文件：929.24 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDD1951RH	文件：353.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 17.9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 45mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：353.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDD1951RH	文件：988.39 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：988.39 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
MDD1951RH	文件：929.24 Kbytes Page：6 Pages	Single N-Channel Trench MOSFET 60V, 17.9A, 45.0m(ohm) 文件：929.24 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDD1951RH	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

技术参数

Vds [V]：
60
Ids [A] 25°C：
50.0
Vgs(th) [Max V]：
3.0
Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：
45.0
Qg[nC] at 10V：
55.0
Qgs [nC]：
4.8
Qgd [nC]：
1.6
Option：
2.2
P SpiceModelInfo：
DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市柯尔基电子有限公司	MDD1951	MAGNACHIP/美格纳	23+/24+	TO-252	9865	存储IC主营品牌,原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MDD1951	MAGNACHIP	20+	TO-252	38900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	MDD1951	MAGNACHIP/美格纳	2022+	TO-252	14310	原厂代理终端免费提供样品	询价
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深圳市科翼源电子有限公司	MDD1951	MAGNACHIP	23+	TO-252	2700	原厂原装正品	询价
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更多MDD1951供应商更新时间2026-1-17 10:19:00

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