首页 >MCU50P04A>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
P-Channel40V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP50P04KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=10mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance Ci | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
P-Channel40V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP50P04SLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=9.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) ⎯RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
P-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-10A | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
AutomotiveP-Channel40V(D-S)175째CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
