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MCU04N65	文件：507.18 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：507.18 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MCU04N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
MHU04N65	文件：789.45 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET 文件：789.45 Kbytes 页数：10 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
NCE04N65	文件：506.31 Kbytes Page：7 Pages	Super Junction MOSFET 文件：506.31 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
QM04N65B	文件：1.10072 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.10072 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
650
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±30
Drain Current IDMAX (A)：
4.0
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
3.0
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
760
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
2.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
4.0
Package Qty：
Tape&Reel
FIT：
30; Tj=100℃

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更多MCU04N65供应商更新时间2026-1-20 11:20:00

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