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MCU04N60

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:467.46 Kbytes 页数:3 Pages

MCC

MCU04N60

MOSFETS

MCC

美微科

MHF04N60CT

Silicon N-Channel Power MOSFET

文件:1.33955 Mbytes 页数:10 Pages

CITC

竹懋科技

MHU04N60

Silicon N-Channel Power MOSFET

文件:987.45 Kbytes 页数:10 Pages

CITC

竹懋科技

NDD04N60Z

N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts

文件:156.95 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Polarity:

     N-Channel

  • Drain-Source Voltage VDS (V):

     600

  • Gate-Source Voltage VGS(V):

     ±30

  • Drain Current IDMAX (A):

     4.0

  • Drain-Source On Resistance MAX(Ω):

     2.0

  • Input Capacitance CISSMAX (pF):

     540

  • Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min:

     2.0

  • Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max:

     4.0

  • Package Qty:

     Tape&Reel

  • FIT:

     30; Tj=100℃

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MCC/美微科
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DPAK
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Micro Commercial Co
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SMD
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更多MCU04N60供应商 更新时间2025-12-18 12:00:00