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MCU02N80

MOSFETS

ZBMCC

美林电子

MCU02N80

MOSFETS

MCC

美微科

SPP02N80

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Industrial with high DC bulk voltage ·Switching

文件:296.37 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

SSRF02N80SL

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件:507.89 Kbytes 页数:5 Pages

SECOS

喜可士

技术参数

  • Polarity:

     N-Channel

  • Drain-Source Voltage VDS (V):

     800

  • Gate-Source Voltage VGS(V):

     ±30

  • Drain Current IDMAX (A):

     2.4

  • Drain-Source On Resistance MAX(Ω):

     6.3

  • Input Capacitance CISSMAX (pF):

     550

  • Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min:

     3.0

  • Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max:

     5.0

  • Package Qty:

     Tape&Reel

  • FIT:

     30; Tj=100℃

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MCU02N80供应商 更新时间2025-11-22 12:00:00