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MJD210	文件：302.57 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-0.3V(Max)@IC=-0.5A APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposeampliferandlow Speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD210G	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD210G	文件：138.05 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD210G	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD210-I	文件：46.43 Kbytes Page：5 Pages	D-PAKforSurfaceMountApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •HighDCCurrentGain •LowCollectorEmitterSaturationVoltage •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD210RL	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD210RLG	文件：87.9 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD210RLG	文件：152.01 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE210	文件：195.25 Kbytes Page：6 Pages	PNP(COLLECTOR-EMITTERSUSTAININGVOLTAGELOWCOLLECTOR-EMITTER) COLLECTOR-EMITTERSUSTAININGVOLTAGELOWCOLLECTOR-EMITTER SATURATIONVOLTAGE HIGHCURRENTGAIN-BANDWIDTH PRODUCT-MINfT=65MHz@Ic=-100mA ComplementarytoMJE200	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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详细参数

型号：
MCT210TVM
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述：
TRANSISTOR OUTPUT, 0.4 INCH LEAD BEND, VDE - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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