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MJD243	文件：124.95 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor DPAK−3forSurfaceMountApplications Designedforlowvoltage,low−power,high−gainaudioamplifierapplications. Features •Collector−EmitterSustainingVoltage− VCEO(sus)=100Vdc(Min)@IC =10mAdc •HighDCCur	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD243	文件：149.11 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD243	文件：98.46 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistorDPAK-3forSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD243	文件：112.97 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD243	文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD243	文件：923.19 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features LowCollector−EmitterSaturationVoltage,HighCurrent−Gain. Applications Lowpoweraudioamplifier,Lowcurrent,highspeedswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJD243	文件：261.79 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=0.2A •LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.3V(Max.)@IC=0.5A •ComplementtothePNPMJD253 •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS •Designedforlowpo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD243	文件：168.56 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarySiliconPlasticPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD243	文件：298.37 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD243	文件：279.3 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=100V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=0.5A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	MCS2508L	MCS	23+	SOT223	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MCS2508L	MCS	23+	SOT223	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	MCS2508L	MCS	2450+	SOT223	6540	只做原厂原装正品终端客户免费申请样品	询价
北京京北通宇电子元件有限公司	MCS25GC-1R0MCY-A	PSA	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价
深圳市英创达电子半导体有限公司	MCS25GD-1R0MHC	PDC/台湾信昌	2025+	SMD	32000	原装正品现货供应商原厂渠道物美价优	询价
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