耐压达3kVRMS 的隔离式霍尔效应电流传感器， 工作电压为500VRMS，精度为±2.5%，符合 AEC-Q100 认证

MCQ1806是一款用于实现交流和直流电流采样的汽车级线性霍尔效应电流传感器。其霍尔阵列为差分式，可以抵消任何杂散磁场。\n\n 该器件的低电阻原边导体允许电流在包含高精度霍尔效应传感器的IC附近流动。该电流产生磁场，并由集成的霍尔效应传感器在两个不同的点进行采样。然后，两点之间的磁场差被转换为与施加电流成比例的电压。其间采用了旋转电流技术以实现稳定的低偏移。\n\n MCQ1806可实现原边导电路径引脚和传感器引线之间的电流隔离，因此可取代光隔离器和其他隔离器件。\n\n MCQ1806最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用，它采用小尺寸 SOIC-8 封装以 • 3.3V 或 5V 单电源供电选项\n• 通过差分采样避免外部磁场影响\n• 超低噪声密度\n• 3kVRMS最小隔离电压\n• 500VRMS最大工作电压\n• 总精度为±2.5%\n• ±5A 至 ±50A 双向电流范围\n• 高达100kHz 的可调带宽\n• 电源电压按比率输出\n• 输出电压与交流和直流电流成正比\n• 精度由工厂校准\n• 无磁滞\n• 采用 SOIC-8 封装\n• 符合AEC-Q100 等级1认证;

MPS

美国芯源

1.8 GHz DRIVER AMPLIFIER AND RAMP CIRCUIT GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT

Designed primarily for use in DECT, Japan Personal Handy System (PHS), and other wireless Personal Communication Systems (PCS) applications. The MRFIC1806 includes a two stage driver amplifier and transmit waveform shaping circuitry in a low–cost SOIC–16 package. The amplifier portion employs depl

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Motorola

摩托罗拉

Integrated Circuit Head Amplifier Circuit for 4 Head VCR

Features: • Built–in Enveloped Comparing Circuit • Built–in Peaking Amplifier Circuit • Less Noise Voltage Referred to Input: 1µVrms

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NTE

N-CHANNEL 60V - 0.015
- 50A TO-220 STripFET™ POWER MOSFET

■ TYPICAL RDS(on) = 0.015 ■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY ■ 100 AVALANCHE TESTED DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance

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STMICROELECTRONICS

意法半导体