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YJM05N06A	文件：599.35 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：599.35 Kbytes 页数：6 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
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技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
60
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±20
Drain Current IDMAX (A)：
5.0
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
0.045
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
500
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
1.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
3.0
Package Qty：
Tape&Reel
FIT：
30; Tj=100℃

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更多MCQ05N06供应商更新时间2025-11-30 14:01:00

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